DS1230Y-200+
![kwaliteit [#varpname#] fabriek](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabrikant:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Beschrijving:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Categorie:
Geheugen
Specificaties
Categorie:
Geïntegreerde schakelingen (IC's)
Geheugen
Geheugen
Productstatus:
Actief
Montage-type:
Door het gat
Pakket:
Buis
Reeks:
-
DigiKey kan worden geprogrammeerd:
Niet geverifieerd
Geheugeninterface:
Parallel
Schrijf cyclustijd - woord, pagina:
200ns
Verpakking van de leverancier:
28-EDIP
Geheugentype:
niet-vluchtig
Mfr:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Geheugengrootte:
256Kbit
Spanning - Voeding:
4.5V ~ 5.5V
Toegangstijd:
200 ns
Pakket / doos:
28-DIP-module (0,600", 15,24 mm)
Organisatie van het geheugen:
32K x 8
Werktemperatuur:
0°C ~ 70°C (TA)
Technologie:
NVSRAM (Niet-vluchtig SRAM)
Basisproductnummer:
DS1230Y
Geheugenformaat:
NVSRAM
Inleiding
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) geheugen IC 256Kbit Parallel 200 ns 28-EDIP
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: