W25R512NWEIQ TR
![kwaliteit [#varpname#] fabriek](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabrikant:
Winbond Electronics
Beschrijving:
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
Categorie:
Geheugen
Specificaties
Categorie:
Geïntegreerde schakelingen (IC's)
Geheugen
Geheugen
Geheugengrootte:
512 Mbit
Productstatus:
Actief
Montage-type:
Oppervlakte
Pakket:
Tape & Reel (TR)
Reeks:
-
DigiKey kan worden geprogrammeerd:
Geverifieerd
Geheugeninterface:
SPI
Schrijf cyclustijd - woord, pagina:
-
Verpakking van de leverancier:
8-WSON (8x6)
Geheugentype:
niet-vluchtig
Mfr:
Winbond Electronics
Clockfrequentie:
133 MHz
Spanning - Voeding:
1.7V ~ 1.95V
Pakket / doos:
8-WDFN blootgestelde pad
Organisatie van het geheugen:
-
Werktemperatuur:
-40 °C ~ 85 °C
Technologie:
Flash - noch
Basisproductnummer:
W25R512
Geheugenformaat:
Flash
Inleiding
FLASH - NOR geheugen IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WSON (8x6)
Verwante producten
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: