R1RW0416DSB-2PI#D1
![kwaliteit [#varpname#] fabriek](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabrikant:
RENESAS
Beschrijving:
R1RW0416D-I - Grote temperatuur R
Categorie:
Geheugen
Specificaties
Categorie:
Geïntegreerde schakelingen (IC's)
Geheugen
Geheugen
Productstatus:
Actief
Montage-type:
Oppervlakte
Pakket:
Grote hoeveelheid
Reeks:
R1RW0416DI
Geheugeninterface:
Parallel
Schrijf cyclustijd - woord, pagina:
12ns
Verpakking van de leverancier:
44-TSOP II
Geheugentype:
Vluchtig
Mfr:
RENESAS
Geheugengrootte:
4Mbit
Spanning - Voeding:
3V ~ 3,6V
Pakket / doos:
44-TSOP (0,400“, 10.16mm Breedte)
Organisatie van het geheugen:
256K x 16
Werktemperatuur:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Technologie:
SRAM - Asynchroon
Toegangstijd:
12 ns
Geheugenformaat:
SRAM
Inleiding
SRAM - Asynchroon geheugen-IC 4Mbit parallel 12 ns 44-TSOP II
Verwante producten
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: